在了解5V单片机驱动mos管电路之前，先了解一下单片机驱动mos管电路（lù）图及（jí）原理，单（dān）片机驱动mos管电路主要根（gēn）据MOS管要驱动什么东西，要（yào）只（zhī）是一个（gè）继电器之（zhī）类的小负载（zǎi）的话直接用51的引脚驱（qū）动就（jiù）可以，要（yào）注意电感类负载要加保（bǎo）护二极管和吸收（shōu）缓冲（chōng），最好（hǎo）用N沟（gōu）道（dào）的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大，(大电流、大（dà）电（diàn）压（yā）的场合)，最好要（yào）做电气隔离、过流（liú）超压保护、温度保护等……此时既要隔离传送控（kòng）制信号(例如PWM信号)，也要给驱动级(MOS管（guǎn）的推动（dòng）电路)传送电能。常用的信（xìn）号（hào）传送有PC923 PC929 6N137 TL521等（děng）至于电能的（de）传送（sòng）可以用DC-DC模块。如果是（shì）做产品的话（huà）建议自己搞一个建议的DC-DC，这（zhè）样可以（yǐ）降低成本。然后MOS管（guǎn）有一种简单（dān）的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个（gè）用于MOS开（kāi）启驱动，一个用于MOS快速关断。
图一：适合开关频率（lǜ）不（bú）高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定（dìng），V+越高，R2、R3越大，以（yǐ）保（bǎo）证电阻及三（sān）极管功耗在（zài）允许（xǔ）范围（wéi），同时保证R2和R3的（de）分压VPP=V+ 减（jiǎn）10V，同时V+不（bú）能大（dà）于（yú）40V。

补充（chōng）：图二：适（shì）合高（gāo）频大功（gōng）率（lǜ）场合，到（dào）达（dá）100KHz没问题，同时可以并（bìng）联多（duō）个MOSFET-P管

R2、R3需（xū）要（yào）满足和图（tú）一一样的条件，其实（shí）就是图（tú）一（yī）加了（le）级推挽，这样就（jiù）可以保证MOSFET管高速开关（guān），上面6P小（xiǎo）电容是发射（shè）结（jié）结电容补偿电（diàn）容，可以改善（shàn）三极管高速开关特性。

另外：MOSFET的栅极（jí）电容较大，在使用（yòng）的时候应该把它当成一个容抗负（fù）载来看。

MOS管驱动电路

在使用MOS管设计开关（guān）电源或者马达驱动电（diàn）路（lù）的时候，大部分人都会考虑（lǜ）MOS的导通（tōng）电阻，最大电（diàn）压等，最大电（diàn）流等（děng），也有很多（duō）人仅仅考虑这（zhè）些因（yīn）素。这样的电路也许是可以（yǐ）工作（zuò）的，但并不是（shì）优（yōu）秀的，作为（wéi）正式的产品设计也是（shì）不允许的。

MOS管导通特（tè）性

导通的（de）意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特（tè）性：Vgs大（dà）于一定（dìng）的（de）值就会导通（tōng），适（shì）合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性：Vgs小（xiǎo）于一（yī）定（dìng）的（de）值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动（dòng）)。但是，虽然（rán）PMOS可以（yǐ）很方（fāng）便地用作高端驱（qū）动，但由于（yú）导（dǎo）通电阻大，价格贵，替换种类少（shǎo）等原因，在高（gāo）端驱（qū）动中，通常还是（shì）使用（yòng）NMOS。

MOS开关管损失

MOS管驱动电路不管是NMOS还是（shì）PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这（zhè）个电阻上消耗能量，这（zhè）部分消耗的能量叫做（zuò）导通损耗。选择导通（tōng）电阻小的MOS管会减（jiǎn）小导（dǎo）通损耗（hào）。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几（jǐ）毫（háo）欧的（de）也有。

MOS在导通和截（jié）止的时候，一定（dìng）不是在瞬间完成的。MOS两端的（de）电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过（guò）程，在这段（duàn）时间内，MOS管的损失（shī）是（shì）电（diàn）压和电流的乘积，叫做开关损（sǔn）失。通（tōng）常开关损失比导（dǎo）通损失（shī）大得多，而且开关频率越快，损失也越（yuè）大。

导通瞬间（jiān）电压和电流（liú）的乘积很大（dà），造成的损失（shī）也就很（hěn）大。缩短开关时间（jiān），可以（yǐ）减小每次导（dǎo）通时的损失;降低开关频率，可以减小（xiǎo）单位时间内的开关次数。这两种（zhǒng）办法（fǎ）都可以减小开关损失（shī）。

MOS管驱（qū）动（dòng）

跟双极性晶（jīng）体（tǐ）管相（xiàng）比，一（yī）般（bān）认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很（hěn）容易（yì）做到（dào），但是，我们还需（xū）要速度。在MOS管的（de）结构中可以看（kàn）到，在GS，GD之间存在寄生电（diàn）容，而MOS管的驱（qū）动（dòng），实（shí）际上就是对电容的充放电。对电容的充电（diàn）需要一个电流，因为对电容充电瞬间可（kě）以（yǐ）把电容（róng）看成短路，所以瞬间电流会（huì）比较大（dà）。选择/设（shè）计MOS管驱动时（shí）第一要注意（yì）的是可（kě）提（tí）供瞬（shùn）间短（duǎn）路电流（liú）的大小。

MOS管驱动（dòng）电路第（dì）二注意（yì）的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极（jí）电（diàn）压（yā）大于源极电压。而高（gāo）端驱动的（de）MOS管导通（tōng）时源（yuán）极电压与（yǔ）漏极电压(VCC)相（xiàng）同，所（suǒ）以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果（guǒ）在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专（zhuān）门的升压电路了。很多马达驱动器都（dōu）集（jí）成了（le）电（diàn）荷泵，要注意的是（shì）应该（gāi） 选择合适的外（wài）接电容，以得到（dào）足（zú）够的短路电（diàn）流（liú）去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导（dǎo）通电压，设（shè）计时当然需要有一定的余量。而且（qiě）电压越高，导通（tōng）速度越快，导通（tōng）电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用（yòng）在不（bú）同的（de）领域里（lǐ），但在12V汽（qì）车（chē）电子系（xì）统里，一般4V导通（tōng）就够用了。MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以不打（dǎ）算多写了。

MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用（yòng）在需要电子开关的（de）电路（lù）中，常见的如开（kāi）关电源和马达驱动，也（yě）有照明调（diào）光。

二、现（xiàn）在的MOS驱动，有几个特别的应用：

1、低压应用当（dāng）使用（yòng）5V电源，由于三极管的（de）be有0.7V左右的压降，导致实（shí）际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候（hòu），我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定（dìng）的风险。同样的问（wèn）题也发生（shēng）在使用3V或者其他（tā）低压电（diàn）源的场（chǎng）合。

2、宽电压应用输入电（diàn）压并（bìng）不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致（zhì）PWM电路（lù）提供给MOS管的驱动（dòng）电压是（shì）不稳定的。为了（le）让（ràng）MOS管在高gate电（diàn）压下安全，很多MOS管内置（zhì）了稳压（yā）管强行限制gate电压（yā）的幅值。在这种情（qíng）况下，当（dāng）提（tí）供的驱动电压超过（guò）稳压管的电（diàn）压，就会引起较（jiào）大的静态功耗。同时（shí），如果简单的用电阻（zǔ）分压的（de）原理（lǐ）降低gate电压（yā），就会（huì）出现输入电压比（bǐ）较高的时候，MOS管（guǎn）工作良好（hǎo），而输（shū）入电压降低的时（shí）候gate电压不足，引起（qǐ）导通不够彻底，从而增（zēng）加功耗。

3、双电压（yā）应用在一（yī）些控制电路中，逻（luó）辑部分使用典型的5V或（huò）者3.3V数字（zì）电压，而功（gōng）率部分使（shǐ）用12V甚至更高的电压。两个（gè）电压采用共地方式连接。MOS管驱（qū）动电路。这就（jiù）提出一（yī）个要求，需要使用一（yī）个电路（lù），让低压侧（cè）能（néng）够有效的控制高压侧的MOS管，同时（shí）高（gāo）压侧的（de）MOS管也同样会面对1和（hé）2中（zhōng）提到（dào）的问题。