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◇当前所在位（wèi）置：所有产品 >> 二三极（jí）管 场效应 晶闸（zhá）管等 >> 场效应管
    IRFZ48N
    描述：TO-220 N沟（gōu）道,通态漏极电流ID=64A at 25摄氏度（dù）,漏源击（jī）穿电压VDSS=55V,漏源电阻RDS(on)0.014欧
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.7
  • 3.3
  •  
    IRF1404
    描述：TO-220 N沟道,漏（lòu）极电流ID=162A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.004欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极（jí）电（diàn）流ID=95A,耗（hào）散功率PD=200W at 25摄（shè）氏（shì）度
  • 数量
  • 1
  • 50
  • 100
  • 价格
  • 5.0
  • 4.3
  • 另议（yì）
    IRF2807
    描述：TO-220 N沟道，82A,75V,0.013欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.7
  • 3.3
  •  
    2N60
    名（míng）称：2N60
    描述（shù）：TO-251 N沟道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电（diàn）压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=1A,耗（hào）散功率PD=45W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.15
  •  
    2N60L-TN3
    描述（shù）：TO-252 品牌（pái）UTC N沟（gōu）道（dào）,漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=600V,漏（lòu）源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源（yuán）电压VGS=10V 漏极（jí）电流ID=1A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度（dù）
  • 数（shù）量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 1.5
  • 1.2
  •  
    8205A
    描述：TSSOP8 品牌（pái）HXY 2个N沟道 20V 6A 23m欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.55
  • 0.45
  •  
    RHP020N06T100
    描（miáo）述：SOT89 品牌ROHM/罗（luó）姆 N沟（gōu）道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏（lòu）源击穿（chuān）电压（yā）VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=0.15欧 at 栅（shān）源电压VGS=10V 漏极（jí）电流ID=2A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.8
  • 1.55
  •  
    8N60C
    名称（chēng）：8N60C
    描述：TO-220 N沟（gōu）道,漏极电（diàn）流ID=7.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=1.2欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=3.75A,耗散功率PD=147W at 25摄氏（shì）度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 2.8
  •  
    FQP6N80C
    描述（shù）：TO-220 进口仙童/ON N沟道,通态漏极电流ID=5.5A at 25摄（shè）氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=2.5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=2.75A,耗散（sàn）功率PD=158W at 25摄（shè）氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.2
  • 另议
  •  
    FQP8N80C
    描（miáo）述：TO-220 进口仙童N沟（gōu）道,通态漏极电流ID=8A at 25摄氏度,漏（lòu）源（yuán）击穿电压VDSS=800V,漏源电阻（zǔ）RDS(on)<=1.55欧 at 栅源电（diàn）压VGS=10V 漏极电流ID=4A,耗散功率PD=178W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7
  • 另议
  •  
    10N60B
    描述：TO-220F N沟道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=0.8欧（ōu） at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=9A,耗散功率PD=50W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 3.25
  •  
    SVF12N65F
    描述：TO-220F 品牌士兰微 N沟（gōu）道,12A 650V 0.64欧（ōu）姆
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 2
  • 另议（yì）
  •  
    P60NF06
    描述：TO-220 进口ST N沟道（dào）,漏极电流ID=16A at 25摄（shè）氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源（yuán）电阻RDS(on)<=0.1欧（ōu） at 栅源（yuán）电压VGS=10V 漏极电（diàn）流（liú）ID=8A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 4.4
  • 4
  •  
    FQP17P10
    描述：TO-220 P沟道（dào）,通态漏极电流ID=-16.5A at 25摄（shè）氏度,漏源击穿电压VDSS=-100V,漏源电阻RDS(on)<=0.19欧（ōu） at 栅源电（diàn）压VGS=-10V 漏极电流ID=-8.25A ,耗散功率PD=100W at 25摄氏度（dù）
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 12
  • 另（lìng）议（yì）
  •  
    P75NF75
    描（miáo）述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=80A at 25摄氏度,漏（lòu）源击（jī）穿（chuān）电压VDSS=75V,漏源电阻RDS(on)<=0.011欧 at 栅源电压（yā）VGS=10V 漏极电流ID=40A,耗散功率PD=300W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 3.9
  • 3.5
  •  
    IPP15N03L
    描述：TO-220 品牌infineon N沟道,漏极电流ID=42A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压（yā）VDSS=30V,漏源电（diàn）阻RDS(on)<=0.0126欧 at 栅源电（diàn）压VGS=10V 漏极电流ID=21A,耗散功（gōng）率PD=83W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7
  • 时价
  •  
    K1249(2SK1249)
    描述（shù）：TO-3P N沟道,漏源击穿（chuān）电压VDSS=500V,漏（lòu）极电流ID=15A 进（jìn）口
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 11.5
  • 另议
  •  
    K2842(2SK2842)
    描述：TO-220 N沟道,漏（lòu）源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)=0.04欧 at 栅源电压VGS=+-30V 漏极电流ID=12A,耗散功率PD=40W
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 3.7
  •  
    SSP7N80A
    描述：TO-220 N沟道,漏源击穿电（diàn）压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)=1.8欧 漏极电流ID=7A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 8
  • 另议
  •  
    FQA70N10
    描（miáo）述：TO-3P 品牌ON N沟道,100V,70A,23毫欧
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 14
  • 另（lìng）议
  •  
    FDA70N20
    描述：TO-3PN 品牌FAIRCHILD N沟道,200V,70A,35毫欧
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 19
  • 另议
  •  
    FDA18N50
    描（miáo）述：TO-3PN 品牌安森美 N沟道,500V,19A,265毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 12
  • 另议
  •  
    FQP30N06L-VB
    描述：TO-220 品牌微碧（bì） N沟道,漏源击穿电（diàn）压VDSS=100V,漏源（yuán）电阻RDS(on)=0.127欧 漏极电流ID=18A
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.2
  • 另（lìng）议
  •  
    RFP25N05
    描述：TO-220 品（pǐn）牌（pái）FSC N沟道（dào）,漏（lòu）源（yuán）击穿电（diàn）压VDSS=50V,漏源（yuán）电阻RDS(on)=0.047欧 漏极电流ID=25A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7
  • 另议
  •  
    FQP27P06
    描述（shù）：TO-220 友台（tái）半导体 P沟（gōu）道,漏（lòu）源（yuán）击穿电压VDSS=60V,漏（lòu）源电阻RDS(on)=0.07欧（ōu） 漏极（jí）电流ID=13.5A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.7
  • 另议
  •  
    RFP30P05 国产优质
    描述（shù）：TO-220 国产（chǎn）大芯（xīn）片 P沟道,漏源击（jī）穿电压VDSS=50V,漏源电（diàn）阻RDS(on)=0.065欧 漏极（jí）电流（liú）ID=30A
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议（yì）
  •  
    RFP30P05 翻新
    描述：TO-220 品（pǐn）牌FSC P沟道,漏源（yuán）击（jī）穿（chuān）电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电（diàn）流ID=30A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
  •  
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